用于制造下一代半导体的极紫外光刻，解密大阪大学教授30年前开发的"CLBO晶体"

大阪大学教授森勇介（兼任名古屋大学教授）30年前开发了"CLBO晶体(CsLiB6O10晶体)"。该晶体作为紫外激光器的波长转换元件，是现在用于制造下一代半导体极紫外光刻（EUV）前工序和后工序所必需的材料。

CLBO是由铯（Cesium）、锂（Lithium）、硼（Boron）、氧（Oxygen）组成的化合物晶体。当光通过这种晶体时，会产生世界上最高功率的紫外激光。通过从半导体领域转移到激光研究室，并将两个领域的技术融合。

作为当时日本的国家项目，次材料的开发当时与三菱电机共同进行了研究，并成功实现了波长266纳米（纳米为10亿分之1）的紫外激光的高功率化。这种晶体已经实现了实用化，正被用于半导体掩膜检查装置等领域。

另外，以接受美国半导体制造装置大型企业KLA的热烈邀请进行合作为契机，森教授于2016年创立了创晶超光（大阪府交野市）。

在当今全球范围内的物联网（IoT）技术竞争激烈的情况下，“半导体将永远不断进化”的观点愈发明显。目前，该公司不仅在与LAPIDOS（位于日本东京都千代田区）的合作中协助逻辑半导体的量产，还在为功率半导体提供高质量的氮化镓晶体方面为该行业做出贡献。

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