东京大学：开发出不含金属元素的碳基互补集成电路

上月底，东京大学和NTT的研究小组宣布，其与PI-CRYSTAL及东京工业大学共同开发出了一种完全由碳基材料组成的“互补集成电路"。研究证实，这种使用不含金属元素材料开发出的电路可在室温大气条件下稳定运行。

研发团队称一般而言，电子设备中往往含有重金属等有毒物质以及金等稀有元素。因此，我们需要对这些被称为“电子垃圾"的电子设备废物采取相应的“处理有害物质"、“回收稀有元素"等措施。同时，对日益增多的电子垃圾还必须采取根本性的解决措施，比如开发出不含有害物质或稀有元素的电子电路。

早在2022年，该研究小组就曾发表了关于不含有害物质的电池和电子电路的研究成果。而东京大学一直致力于开发p型有机半导体材料“C9-DNBDT”和n型有机半导体材料“PhC2-BQQDI”，该两种材料可通过印刷成膜，且具有高载流子迁移率。

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