极紫外光刻

用于制造下一代半导体的极紫外光刻，解密大阪大学教授30年前开发的"CLBO晶体"

大阪大学教授森勇介（兼任名古屋大学教授）30年前开发了"CLBO晶体(CsLiB6O10晶体)"。该晶体作为紫外激光器的波长转换元件，是现在用于制造下一代半导体极紫外光刻（EUV）前工序和后工序所必需的材料。 CLBO是 […]