世界上最高功率密度的氮化镓场效应晶体管（GaN HEMT）

作为NEDO（日本新能源产业的技术综合开发机构）所委托开发的「后5G信息通信系统基础强化研究开发项目」的一部分，住友电气工业（住友电工）利用新型晶体技术制造出氮化镓场效应晶体管（GaN HEMT），比起传统技术在高功率密度上提高了两倍。

据称，该GaN HEMT利用新型晶体技术实现了氮（N）极性GaN晶体的高质量化，同时结合了n+ GaN和Hf系栅绝缘膜技术，实现了超过2A/mm的最大电流和超过60V的耐高压性，同时在频率为28GHz时实现最大输出密度高12.8W/mm，达到了世界最高水平。

该技术的开发成果将被应用于后5G信息通信系统的核心部分，即基站信号放大器。从而为实现基站的小型化和高性能化做出贡献。

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