东京工业大学：确立了安全生产高性能硅太阳能电池的技术

3月底，东京工业大学宣布其已成功在硅晶片上以实用的成膜速度形成了氢化非晶硅（a-Si:H），以用于硅异质结（SHJ）太阳能电池，并且该电池有望成为下一代太阳能电池。此外，研究小组称该制作方法无需使用现有方法中使用的具有高爆炸性和毒性的 SiH4（单硅烷）气体。

据称，该研究从硅片正上方的i-a-Si:H（未掺杂的 a-Si:H）着手，并利用仅在硅片两侧形成 i-a-Si:H的样品评估了载流子重组抑制对硅片表面的影响。

如果今后检测到更大面积的成膜，并实现SHJ太阳能电池的无SiH4成膜技术，则有望降低SHJ太阳能电池和使用SHJ太阳能电池的钙钛矿/硅串联太阳能电池的成本。

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